인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 AI 데이터센터의 고전압(HV) DC 버스 아키텍처용 24kW 배터리 백업 유닛(BBU) DC-DC 레퍼런스 디자인을 공개했다. 이번 설계는 650V 및 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 적용해 배터리 스택에서 800V DC 버스로 직접 동작하는 첫 번째 사례로, 기존 저전압(LV) BBU와 동일한 폼팩터에서 450 W/in³의 전력 밀도와 99% 이상의 효율을 달성했다. 이는 데이터센터가 고전압 DC 배전 구조로 전환하는 과정에서 발생하는 주요 인프라 병목 문제를 해결한다.레퍼런스 디자인은 스택형, 인터리브형, 커플드 방식의 부스트 및 벅 스테이지를 결합한 멀티레벨, 다상(multiphase) 비절연 구조를 기반으로 한다. 이를 통해 플라잉 커패시터 없이 자성 부품의 부피를 줄였으며, 충·방전 단계 간 공통 전류 경로를 형성하는 스위칭 레그 토폴로지를 통해 전체 동작 범위에서 제로 전압 스위칭(ZVS)을 구현했다. 그 결과 전류 리플 감소, 자성 부품 통합, 빠른 과도 응답 특성을 확보했으며, 이는 점점 더 변동성이 커지는 AI 서버 전력 특성에서 중요한 요소로 부상하고 있다.이 모듈은 112 x 88 x 118 mm의 크기로, 24kW 메인 전력 스테이지와 2.4kW 보조 전원을 통합했다. 충전기와 방전기 블록은 EMI 필터, 커패시터, 보호용 MOSFET을 공유해 전체 부품 수를 줄였다. SiC JFET(junction gate field-effect transistor)는 ORing 및 핫스왑 기능을 제공하며, 평면 트랜스포머와 CoolSET™을 결합해 보조 SMPS를 소형·고효율 구조로 구현했다.DC-DC 변환 스테이지는 고전압 BBU 애플리케이션에서 양방향 벅-부스트 동작에 최적화된 650V CoolSiC™ MOSFET(IMT65R033M2H)을 중심으로 구성된다. 낮은 전도 및 스위칭 손실을 통해 99% 이상의 스테이지 효율을 달성하며, 랙 수준의 열 발생을 줄인다. 전력망 이상이나 발전기 전환, 정전 상황에서는 고전압 DC 버스와 배터리 간 에너지를 손실 없이 신속하게 전달해 시스템 유지 시간을 안정적으로 연장한다. 650V 차단 특성, 강인한 바디 다이오드, 175°C 접합 온도, .XT 패키지 기술은 전압 스파이크, 고속 dv/dt 트랜지언트, 반복적인 열 사이클 환경에서도 안정적인 동작을 보장한다. 또한 일관된 Vgs(th) 특성은 다상 설계와 이중화 랙 구성의 효율성을 높인다.데이터센터에서 고전압 DC 버스 아키텍처로의 전환은 랙 및 설비 단위에서 효율과 전력 손실을 줄이기 위한 흐름이다. BBU는 이러한 인프라 전환의 핵심 요소로, 전력망 이상 시 AI 서버의 전력 공급을 유지하는 역할을 한다. 공급 정보IGK048B041S와 IGK120B041S는 현재 공급되고 있다. 제품 상세 정보와 데이터시트, 주문 관련 내용은 해당 웹사이트에서 확인할 수 있다.

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2026년 6월 4일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 최대 205°C 온도에서 연속 동작이 가능한 1300V 실리콘 카바이드(SiC) 모듈을 출시하며 전기차 인버터용 전력 모듈 기술의 새로운 이정표를 제시했다. 기존 설계는 일반적으로 최대 175°C까지 허용된다. 이번 온도 향상으로 자동차 OEM과 1차 협력업체는 기존 인버터 설계에서 더 높은 피크 및 연속 출력 전력을 구현하거나, 신규 설계에서는 시스템 복잡성과 전체 비용을 낮출 수 있다.인피니언 오토모티브 고전압 사업부를 총괄하는 스테판 오버스리브니히(Stefan Obersriebnig) 수석부사장은 “인피니언은 고전압 전력 제품 혁신을 통해 전기차 구동계의 성능과 효율을 지속적으로 발전시키고 있다. 더 높은 동작 온도는 고객에게 설계 유연성을 제공하고 시스템 비용을 절감할 수 있도록 한다. 이 혁신은 전기차 보급을 가속화하는 경쟁력 있는 플랫폼 개발에 기여할 것이다.”라고 말했다.향상된 동작 온도는 기존 설계 대비 최대 15% 높은 출력 전류를 가능하게 해 인버터 전력 밀도를 높인다. 동시에 모듈 크기, 풋프린트, 인터페이스를 동일하게 유지해 기존 플랫폼에 원활하게 통합할 수 있으며, 비용이 많이 드는 재설계나 개발 기간 연장 없이 성능 업그레이드가 가능하다. 이러한 드롭인 호환성은 차세대 인버터의 시장 출시 시간을 단축시키면서도 검증된 제조 및 인증 프로세스를 그대로 활용할 수 있도록 한다.확장된 온도 범위는 냉각 시스템 요구사항도 크게 줄일 수 있다. 더 높은 접합 온도를 허용함으로써 인버터 설계는 더 작고 단순한 냉각 시스템으로 설계할 수 있으며, 이는 시스템 비용 절감, 차량 경량화, 전반적인 에너지 효율 향상으로 이어진다.새로운 모듈은 높은 동작 온도뿐 아니라 HybridPACK Drive 제품군 최초로 1300V 차단 전압을 적용해 900V 이상의 배터리 전압에서도 인버터 성능, 효율, 내구성을 강화했다. 인피니언은 향후 기존 1200V SiC 모듈 포트폴리오에도 205°C 동작 기능을 확대 적용할 계획이다.205°C 동작이 가능한 FS01M9R13A7MA2B의 자세한 정보는 웹사이트에서 확인할 수 있다.

2026년 5월 26일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 CoolGaN™ BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군에 IGK048B041S와 IGK120B041S를 추가했다. 신제품은 PCB 풋프린트를 최대 82%까지 줄이고, 부품 수는 절반으로 감소시킨다. 스마트폰, 노트북, 웨어러블 등 공간 제약이 심한 디바이스를 설계하는 엔지니어에게 이는 매우 중요하고 실질적인 개선이다. 소형 컨슈머 디바이스를 위해 개발된 신제품은 성능 저하 없이 효율을 최적화하고 설계를 간소화할 수 있는 큰 유연성을 제공한다.인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼(Johannes Schoiswohl)은 “컨슈머 디바이스가 점점 소형화되는 동시에 전력 소모는 증가함에 따라, 엔지니어들은 더 적은 자원으로 더 많은 성능을 구현해야 하는 압박을 받고 있다. 새로운 CoolGaN BDS 제품은 이러한 과제를 직접 해결한다. 각 디바이스는 두 개의 백투백 실리콘 MOSFET 기능을 하나의 부품에 통합해 부품 수를 절반으로 줄이고 PCB 레이아웃을 단순화한다. 기존 드라이버 레이아웃을 그대로 활용할 수 있어 재설계 비용을 줄이고, 개발 기간을 단축할 수 있다.”라고 말했다.BDS 디바이스는 다른 GaN 제품과 마찬가지로 5V 게이트 구동과 호환된다. WLCSP 칩 스케일 패키지(2.1 x 2.1 mm² 및 1.7 x 1.2 mm²)로 제공되며, 스마트폰, 노트북, 웨어러블 기기의 제한된 공간에 최적화되어 있다. IGK048B041S는 4.2mΩ의 RDD(on)을, IGK120B041S는 9mΩ의 RDD(on)을 제공한다. 또한 스위칭 및 누설 성능에서도 우수한 특성을 보인다. 게이트 전하는 경쟁 제품 대비 약 40% 낮아 더 빠른 스위칭, 감소된 스위칭 손실, 고속 충전 애플리케이션에서 향상된 시스템 효율을 지원한다. 드레인-드레인 누설 전류는 경쟁 제품 대비 85% 이상 낮아 GaN 기술의 우수성을 보여준다. 이러한 특성은 발열을 줄이고 장기 신뢰성을 향상시키며, 강화되는 안전 요구사항 대응에 기여한다.실리콘 MOSFET이 바디 다이오드로 인해 의도치 않은 전류 흐름이 발생할 수 있는 반면, CoolGaN BDS는 전압과 전류를 양방향으로 차단할 수 있다. 이러한 양방향 차단 기능은 스마트폰 및 휴대용 기기의 USB 과전압 보호와 같은 역전류 차단이 중요한 애플리케이션에서 핵심적인 역할을 한다. 또한 이 소자는 여러 전원 레일에서 전류 방향을 정밀하게 제어해야 하는 멀티 레일 전원 아키텍처에서 로드 스위칭 및 파워 멀티플렉싱에도 적합하다.인피니언은 지난 1년간 40개 이상의 GaN 신제품을 발표하며 광범위한 포트폴리오를 구축했고, 고품질 GaN 솔루션을 찾는 고객의 주요 파트너로 자리매김하고 있다. 또한 300mm 웨이퍼 기반의 확장 가능한 GaN 생산을 추진 중이며, 이미 초기 샘플을 고객사에 공급하고 있다. 300mm GaN은 생산 용량 확대와 고품질 제품의 빠른 공급을 가능하게 해 GaN 시장에서 인피니언의 경쟁력을 더욱 강화한다.공급 정보IGK048B041S와 IGK120B041S는 현재 공급되고 있다. 제품 상세 정보와 데이터시트, 주문 관련 내용은 해당 웹사이트에서 확인할 수 있다.